一种高整合度LED驱动集成电路工艺由TSMC推出

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         一种可降低零组件数量的高电压之整合LED驱动集成电路的模组化BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工艺前不久由TSMC开发出来。该工艺的众多整合技术，可以大大减少系统产品的物料清单。降低零组件数目外，外部零组件数也降低了不少，这很好的缩小PCB电路板的面积。其他可被整合的零组件还包括：高电阻多晶硅齐纳二极体(Zener diode)、高电压/高精密电容器、高电压双载子电晶体等。

       据悉，该高整合度LED驱动集成电路工艺的特点还体现在以下方面：它可以提供12伏特至60伏特的工作电压范围，可支持多种LED的应用，包括：一般照明与车用照明、LED显示器、LCD平面显示器的背光源等。且工艺横跨0.6微米至0.18微米等多个世代，并有数个数字核心模组可供选择，适合不同的数字控制电路闸密度。也提供CyberShuttleTM共乘试制服务，支援0.25微米与0.18微米工艺的初步功能验证。

　　DMOS工艺支援专业集成电路制造中领先的汲极至源极导通电阻(Rdson)效能(例如： 对一特定的60V NLDMOS 元件，当BV>80V 时，其Rdson 为 72 mohm- mm2 )以及其高电流驱动能力，可藉由元件尺寸的最佳化来提升功率效能；强固的安全操作区域(SOA)也能让功率开关与驱动电路更为理想；更多详细的特性分析亦可作为有用的参考，使 IC 设计能达到最佳的芯片尺寸及设计预算。

　　在COMS方面，5伏特工作电压能支持类比脉冲宽度调变器(Pulse Width Modulation controller)的设计，而2.5伏特及1.8伏特的逻辑核心，则通用于较高层次的数字整合。除此之外，与逻辑线路相容、单次写入及多次写入均可的记忆体选项，亦可提供强化的数字程式设计使用。

　　业内人士指出：新的LED驱动IC之BCD工艺在驱动元件整合方面是非常尖端的技术，其相关的工艺设计套件(PDKs)强调高度精准的SPICE模型，提供单芯片设计更多的方便性。