深能级瞬态谱仪PCB抄板及样机仿制案例简介

深圳世纪芯 PCB抄板 等反向技术研发中心一直致力于热分析的前... [详细]

差示扫描量热仪PCB抄板及

• · 蒸发光散射检测器PCB抄板及芯片解密案例
• · 深能级瞬态谱仪PCB抄板及样机仿制案例简介
• · 油液颗粒检测仪PCB抄板及IC解密解析
• · 石油定硫分析仪器PCB抄板及全套克隆案例实例
• · 便携式水质毒性分析仪PCB抄板及芯片解密

　　该款高分辨深能级瞬态谱仪是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段！它是深圳世纪芯PCB抄板中心通过反向技术研发而成的。测试功能：电容模式、定电容模式、电流模式、（双关联模式）、Zerbst模式、光激发模式、FET分析、MOS分析、等温瞬态谱、Trap profiling、俘获截面测量、I/V,I/V(T) 查理森Plot分析、C/V, C/V(T) 、TSC/TSCAP 、光子诱导瞬态谱、DLOS；
　　测试根据半导体P-N结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C~t）技术和深能级瞬态谱的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有很高检测灵敏度的实验方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描，给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能量）分布的DLTS谱，集成多种全自动的测量模式及全面的数据分析，可以确定杂质的类型、含量以及随深度的分布。
　　也可用于光伏太阳能电池领域中，分析少子寿命和转化效率衰减的关键性杂质元素和杂质元素的晶格占位，确定是何种掺杂元素和何种元素占位影响少子寿命。

　　技术参数
　　脉冲发生器：
　　电压范围： ±20.4 V (±102 V opt.)
　　脉冲宽度：1 ?s - 1000 s
　　电容测量：
　　高频信号100 mV @ 1 MHz (20 mV 可选)
　　电容范围 [pF] 3, 30, 3000 3000 (自动或手动)
　　灵敏度 0.01 fF
　　电压测量：
　　范围 ±10 V
　　灵敏度 < 1 ?V
　　温度范围：77K~450K
　　电阻范围：0.1 mOhm - 10 GOhm
　　主要特点自动连线检测；
　　自动电容补偿功能；
　　瞬态电流测量；
　　傅里叶转化功能；
　　深能级瞬态谱分析；
　　测量模式：
　　C-DLTS（电容模式）
　　CC-DLTS （定电容模式）
　　I-DLTS （电流模式）
　　DD-DLTS （双关联模式）
　　Zerbst-DLTS （Zerbst模式）
　　O-DLTS （光激发模式）
　　FET-Analysis （FET分析）
　　MOS-Analysis （MOS分析）
　　ITS (等温瞬态谱)
　　Trap profiling
　　CCSM（俘获截面测量）
　　I/V,I/V(T) （查理森Plot分析）
　　C/V, C/V(T)
　　TSC/TSCAP
　　PITS (光子诱导瞬态谱)
　　DLOS (特殊系统）
　　深圳世纪芯自成立以来一直从事PCB抄板、芯片解密、电路板克隆、样机制作及电子设备仿制的等反向技术研发，是目前国内最大最具权威性的反向技术研发的商业机构，欢迎有相关需求的朋友来电咨询及洽谈业务，我门将竭诚为您服务！