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芯片反向设计

      芯片反向工程(Reverse Engineering)是指从他人的产品入手,进行分解、剖析和综合研究,在广泛搜集产品信息的基础上,通过对尽可能多的同类产品的解体和破坏性研究,运用各种科学测试、分析和研究手段,反向求索该产品的技术原理、结构机制、设计思想、制造方法、加工工艺和原材料特性,从而达到从原理到制造,由结构到材料全面系统地掌握产品的设计和生产技术。
      芯片反向工程在国内被普遍称为反向设计,这表明反向工程在国内常常被直接作为一种设计产品的方法。
      深圳世纪芯集成电路有限公司长期提供芯片失效分析、电路提取与理解等芯片反向设计服务,涉及封装层次去除、芯片染色、拍照、网表/电路图反向提取、电路层次化整理、逻辑功能分析、版图提取与设计、设计规则检查调整、逻辑版图验证、单元库替换以及工艺尺寸的缩放等方面。
     通过这些逆向分析手段,我们可以帮助客户了解其他产品的设计,用于项目可行性研究、打开思路、寻找问题、成本核算等,比如:在进入新领域之前,评估、验证自己技术方案和设计思路的可行性;通过对市场上成熟产品的研究,协助解决关键性的技术问题;利用已有产品的市场资源,降低进入壁垒,实现更好的产品兼容性等等。

     芯片失效分析

     失效分析属于芯片反向工程开发范畴。世纪芯芯片失效分析主要提供封装去除、层次去除、芯片染色、芯片拍照、大图彩印、电路修改等技术服务项目。公司专门设立有集成电路失效分析实验室,配备了国外先进的等离子蚀刻机(RIE)、光学显微镜、电子显微镜(SEM)和聚焦离子束机(FIB)等设备,满足各项失效分析服务的要求。

      封装去除
      世纪芯利用先进的开盖设备和丰富的操作经验,能够安全快速去除各种类型的芯片封装,专业提供芯片开盖与取晶粒服务。
     
    
     芯片开盖

     层次去除
    世纪芯采用先进的刻蚀设备和成熟的刻蚀方法,专业提供去除聚酰亚氨(Polyimide)、去除氧化层(SiO2)、去除钝化层(Si3N4、SiO2)、去除金属层(Al 、CU、W)等芯片去层次技术支持与服务,承诺以完美的刻蚀效果为客户提供专业的芯片处理。

    芯片染色
    阱区染色:模拟类型芯片进行反向分析往往需要分析P阱和N阱的分布情况,因此需要对芯片进行阱区染色,把P阱和N阱用不同的颜色加以区分。

     

      ROM码点染色:ROM存储模式中有大部分是利用离子注入的方式来区分0和1,当读取ROM中的0和1代码时,就需要对芯片进行染色以区分0和1。
芯片拍照