基于级联雪崩晶体管结构UWB极窄脉冲发生器的设计

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　　关键词：UWB(Ultra Wideband) 超宽带 雪崩晶体管 脉冲发生器

　　UWB即超宽带,它是一种利用纳秒级极窄脉冲发送信息的技术,其信号相对带宽即信号带宽与中心频率之比大于25%。一个典型的中心频率为2GHz(即宽度为500ps)的UWB脉冲信号的时域波形及其频谱图分别如图1所示。

　　一般通信技术都是把信号从基带调制到载波上,而UWB则是通过对具有很陡上升和下降时间的冲激脉冲进行直接调制,从而具有GHz量级的带宽。UWB具有发射信号功率谱密度低(数十mW范围)、难以截获、抗多径、低成本、极好的穿透障碍物能力等优点,尤其适用于室内等密集多径场所的高速无线接入和通信、雷达、定位、汽车防撞、液面感应和高度测量应用。

　　UWB信息调制方式需结合UWB传播特性和脉冲产生方法综合考虑,通常可采用脉冲位置调制(Pulse Position Modulation)和正反极性调制(Antipodal Modulation),这里采用PPM调制。

　　从本质上看,UWB无线技术是发射和接收超短电磁能量脉冲的技术,它采用极窄脉冲直接激励天线。因此,极窄脉冲的产生就显得尤为重要。目前,UWB极窄脉冲的产生方法主通过雪崩三极管、隧道二极管或阶跃恢复二极管实现。其中隧道二极管和阶跃恢复二极管所产生的脉冲,上升时间可以达几十至几百皮秒,但其幅度较小,一般为毫伏级。采用了利用雪崩三极管的雪崩效应的方案,同时采用雪崩三极管级联结构来产生极窄脉冲,最后得到输出脉冲上升时间约为863ps,幅度约为1.2V。

　　1 雪崩效应理论

　　当NPN型晶体管的集电极电压很高时,收集结空间电荷区内电场强度比放大低压运用时大得多。进入收集结的载流子被强电场加速,从而获得很大能量,它们与晶格碰撞时产生了新的电子-空穴时,新产生的电子、空穴又分别被强电场加速而重复上述过程。于是流过收集结的电流便“雪崩”式迅速增长,这就是晶体管的雪崩倍增效应。

　　晶体管在雪崩区的运用具有如下主要特点：

　　(1)电流增益增大到正常运用时的M倍,其中M为雪崩倍增因子。

　　(2)由于雪崩运用时集电结加有很高的反向电压,集电结空间电荷区向基区一侧的扩展使有效基区宽度大为缩小,因而少数载流子通过基区的渡越时间大为缩短。换言之,晶体管的有效截止频率大为提高。

　　(3)在雪崩区内,与某一给定电压值对应的电流不是单值的。并且随电压增加可以出现电流减小的现象。也就是说,雪崩运用时晶体管集电极-发射极之间呈负阻特性。

　　(4)改变雪崩电容与负载电阻,所对应的输出幅度是不同的。换言之,输出脉冲与雪崩和负载电阻有关。

　　在电路中近似地将雪崩管静态负载电阻认为是Rc,当基极未触发时,基极处于反偏,雪崩管截止。根据电路可列出雪崩管过程的方程为：

　　式中：i为通过雪崩管的总电流,ic为通过静态负载Rc的电流,ia为雪崩电流,uc(0)为电容C初始电压,R为动态负载电阻,C为雪崩电容,tA为雪崩时间。Vce为雪崩管Q1集-射极电压,Vcc为电路直接偏置电压。

　　从(1)式可求解出雪崩过程动态负载线方程式为：

　　在具体的雪崩管电路中,Rc为几千欧(本实验中取为6.8kΩ),而R则为几十欧(本实验中取为51Ω),因此Rc>>R。雪崩时雪崩电流ia比静态电流ic大得多,即ia>>ic,所以i≈ia。于是(2)式可简化为：

　　因为0～tA这段雪崩时间很短,因此可以略去,即得

　　i=1/R[uc(0)-Vce] (4) 另外,电路还采用了雪崩管极联的设计,原理上可以看作是一个Marx发生器。这样可以增加所产生脉冲的幅度,同时还可以使脉冲的宽度变得更窄。首先,通可雪崩管的级联,使加在各级雪崩管集电极的电压递增(每级的增量约为Vcc)。而集电极电压的增大可以使雪崩管的导通内阻减小,从而缩短脉冲的上升时间tr。其次,基极注入电流Ib会随之增大,tr也将减小。另外,雪崩管的级联结构还可以相当于对各级的输出脉冲进行了乘积,这样也会使脉冲的上升时间tr得到进一步的减小。这里关键是解决雪崩管触发的同时性问题,由于脉冲很宽,这一眯就尤为突出。如果雪崩管不能很好地同时触发,反而会增加输出脉冲的宽度。为了获得同时触发,就必须要尽量选用触发参数相同的雪崩管。如果有的雪崩管触发参数不同,则需要调整电路中的元件参数,使其同时触发。实验中A、B、C各点输出脉冲的宽度分别为：2.43ns、1.76ns、1.22ns;上升时间分别为1.2ns、1.12ns、863ps。与理论分析所得结论相符。 从图5中可以看到输出脉冲的幅度约为1.2V,宽度约为1.22ns(半宽度),上升时