浅议半导体器件芯片焊接失效模式的原因及其解决方法

力。焊接前基片或底座可先在200℃预热，用于拾取芯片的吸头也可适当加热以减少热冲击。焊接后可以在N2 保护气氛下进行缓慢冷却，在此冷却过程中也可消除部分应力。
　　4.6 基片金层过薄
　　当基片镀金层较薄又不够致密时，即使在氮气保护下，达到Au-Si共晶温度时，镀层也会发生严重的变色现象，从而影响焊接强度。实验证明，对于1mm×1mm的芯片，基片上镀金层厚度大于2μm才能获得可靠的共晶焊。一般来说，芯片尺寸越大，镀金层也要相应增加。
　　结语
　　随着技术的发展，芯片的焊接(粘贴)方法也越来越多并不断完善。半导体器件焊接(粘贴)失效主要与焊接面洁净度差、不平整、有氧化物、加热不当和基片镀层质量有关。树脂粘贴法还受粘料的组成结构及其有关的物理力学性能的制约和影响。要解决芯片微焊接不良问题，必须明白不同方法的机理，逐一分析各种失效模式，及时发现影响焊接(粘贴)质量的不利因素，同时严格生产过程中的检验，加强工艺管理，才能有效地避免因芯片焊接不良对器件可靠性造成的潜在危害。