如何解决微盲孔填充及通孔金属化

　　除了“在导电聚合体形成过程中无需体积交换”外，ENVISION HDI工艺步骤少、成本低、流程控制简单，仅只在介质层上形成聚合体。然而，在低聚体的形成中，因氧化副反应的存在，溶液的寿命大约限制在5-6天(或~5m2/L)，具体取决于生产条件。

　　新一代稳定EDT溶液(ENVISION HDI CATALYST 7375)已问世，它通过减少不必要的低聚体的形成从而将工作液的寿命从5天延长至10天(图10)。除了延长工作液的寿命外，新的流程监控方法能够通过用 UV 仪测量吸收率(@870nm)来连续监控低聚体的形成。当催化剂老化时，吸收峰值增大，催化剂的老化程度与导电性能下降紧密相关。

　　如前文所述，在80-85℃的高锰酸盐的处理过程中，与标准的 FR4层压板相比，极少 MnO2吸附在聚酰亚胺上。新一带低温高锰酸盐引发剂已研发，操作温度在 50-60℃之间，特别适用于聚酰亚胺板(ENVISION HDI-Flex 7325)。尽管引发剂 7325主要用于 PI板，但也可以同样用于标准FR4层压板和高Tg层压板。

　　使用低温引发剂会使更多的MnO2吸附在聚酰亚胺板基材上，可以大大增强后工序生成的PEDT聚合体的导电性。与FR4相比，虽然聚酰亚胺上的MnO2量只有FR4上的25%，但同样可以确保在通风的环境里储存36天后仍有优异的导电性。

　　有关新型改良导电聚合体工艺和软板用的低温引发剂更详细介绍请参阅参考文献3《导电聚合体与电介质层金属化》。

　　案例分析：CUPROSTAR CVF1与ENVISION HDI-Flex

　　我们用多层聚酰亚胺基材证实新研发的引发剂和改良的催化剂优异的性能，经过 ENVISION HDI工艺后，层压板用 CUPROSTAR CVF1镀液镀铜。

　　直流微孔填充电镀的深镀能力很好，亦可用于闪镀铜。电镀铜层保持板材不均匀的轮廓(图11)，不均匀的轮廓缘于 PI多层板内层间存在粘合剂(由客户供应的品质决定)。

　　闪镀铜后，在含有抑制剂的镀液中(包括预浸)同时进行填孔和镀通孔。无论孔的表面形态如何，都可以100%填孔和通孔金属化(6个点测试法)，通孔也可以获得均匀的铜层。按照Auger 分析，选择性地在孔壁电介质上形成的聚合体被证实在通过3次漂锡热冲击测试(测试温度为260℃) 后，内层连接性能仍很优异。

　　结论

　　CUPROSTAR CVF1 微、盲孔填充电镀工艺适用传统可溶性阳极垂直电镀线，具有优异的填孔效率和深镀能力。在镀液流动性优良的情况下，纵横比6:1 的通孔深镀能力可达到100%。

　　在不改变镀槽设备和基本化学品的情况下，CUPROSTAR CVF1仍能保持对微通孔有卓越的深镀能力。

　　此外，CUPROSTAR CVF1 通孔金属化性能卓着，在介质层金属化后可闪镀铜形成薄的化学铜层。