当前位置:首页 > 服务项目 > 封装库制作

      芯片反向工程(Reverse Engineering)是指从他人的产品入手,进行分解、剖析和综合研究,在广泛搜集产品信息的基础上,通过对尽可能多的同类产品的解体和破坏性研究,运用各种科学测试、分析和研究手段,反向求索该产品的技术原理、结构机制、设计思想、制造方法、加工工艺和原材料特性,从而达到从原理到制造,由结构到材料全面系统地掌握产品的设计和生产技术。
      芯片反向工程在国内被普遍称为反向设计,这表明反向工程在国内常常被直接作为一种设计产品的方法。
      深圳世纪芯集成电路有限公司长期提供芯片失效分析、电路提取与理解等芯片反向设计服务,涉及封装层次去除、芯片染色、拍照、网表/电路图反向提取、电路层次化整理、逻辑功能分析、版图提取与设计、设计规则检查调整、逻辑版图验证、单元库替换以及工艺尺寸的缩放等方面。
     通过这些逆向分析手段,我们可以帮助客户了解其他产品的设计,用于项目可行性研究、打开思路、寻找问题、成本核算等,比如:在进入新领域之前,评估、验证自己技术方案和设计思路的可行性;通过对市场上成熟产品的研究,协助解决关键性的技术问题;利用已有产品的市场资源,降低进入壁垒,实现更好的产品兼容性等等。

     芯片失效分析

     失效分析属于芯片反向工程开发范畴。世纪芯芯片失效分析主要提供封装去除、层次去除、芯片染色、芯片拍照、大图彩印、电路修改等技术服务项目。公司专门设立有集成电路失效分析实验室,配备了国外先进的等离子蚀刻机(RIE)、光学显微镜、电子显微镜(SEM)和聚焦离子束机(FIB)等设备,满足各项失效分析服务的要求。

      封装去除
      世纪芯利用先进的开盖设备和丰富的操作经验,能够安全快速去除各种类型的芯片封装,专业提供芯片开盖与取晶粒服务。
     
    
     芯片开盖

     层次去除
    世纪芯采用先进的刻蚀设备和成熟的刻蚀方法,专业提供去除聚酰亚氨(Polyimide)、去除氧化层(SiO2)、去除钝化层(Si3N4、SiO2)、去除金属层(Al 、CU、W)等芯片去层次技术支持与服务,承诺以完美的刻蚀效果为客户提供专业的芯片处理。

    芯片染色
    阱区染色:模拟类型芯片进行反向分析往往需要分析P阱和N阱的分布情况,因此需要对芯片进行阱区染色,把P阱和N阱用不同的颜色加以区分。

     

      ROM码点染色:ROM存储模式中有大部分是利用离子注入的方式来区分0和1,当读取ROM中的0和1代码时,就需要对芯片进行染色以区分0和1。
芯片拍照
    为保证良好的拍照效果,我们采用先进光学显微镜和电子显微镜,能够拍摄90nm工艺以上的各种芯片的图像。同时,我们免费为客户进行图像的三维拼接,能够大带同层图像完整无缝、异层图像精确对准的效果。

      电路修改
      我们利用先进的聚焦离子束机(FIB)通过刻蚀和沉积的方法能够修改多层布线的集成电路芯片。主要服务项目包括集成电路芯片引线修改(能够修改最小工艺为90nm);集成电路芯片材料和成分鉴定;微电路故障分析(最小尺寸为40nm);制作纳米级的光电子器件、生物传感器件和超到电子器件等。

      网表/电路图反向提取
      在芯片反向设计中,网表/电路图的提取是个很大的课题,网表提取的质量和速度直接影响后续整理、仿真、LVS等方方面面的工作。我们在总结众多成功案例的基础上,依托自主研发的软件应用,可准确、快速、高质量地进行网表/电路图的提取。

      逻辑功能分析
      网表提取结束后,往往需要进行电路的整理工作,把一个打平(flatten)的电路进行层次化(hiberarchy)整理,形成一个电路的层次化结构,以便理解设计者的设计思路和技巧,同时还能达到查找网表错误的目的。

      版图设计
      版图设计是电路逻辑的物理实现,是集成电路产品实现(ChipLogic Layeditor)。我们在反向设计的基础上提供版图的提取、工艺库替换、目标工艺修改、DRC检查和LVS校验等各种设计服务。

      逻辑版图验证
      网表和版图设计结束后,往往需要对其正确性进行各种验证,为了保证设计流程的完整性,世纪芯提供芯片网表数据和版图数据的各种验证服务:

    •       FPGA验证     通过烧制芯片来验证逻辑提取的正确性
    •       逻辑仿真验证 根据客户提供的芯片相关说明编写测试向量来验证逻辑提取的正确性
    •       LVS验证       版图和网表的一致性验证